包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : 4 个 N 通道（H 桥）

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 1.4A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 300 毫欧 @ 1.8A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 3.2nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 166pF @ 40V

功率-最大值 : 1.6W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : SOT-223-8

供应商器件封装 : SM8