包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 2.5A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 130 毫欧 @ 1.7A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 700pF @ 15V

功率-最大值 : 1.04W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）

供应商器件封装 : 8-MSOP