包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 5.9A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 25 毫欧 @ 5.9A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 700mV @ 250µA（最小）

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 22.1nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1880pF @ 10V

功率-最大值 : 1.8W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装 : 8-SOP