包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 8.3A（Ta），69A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 5 毫欧 @ 20A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 29nC @ 11.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 2363pF @ 12V

功率-最大值 : 660mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-PowerWDFN

供应商器件封装 : 8-WDFN（3.3x3.3）