包装 : 带卷（TR）

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 100V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 17A（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 111 毫欧 @ 8.5A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.6V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 19nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1030pF @ 20V

功率-最大值 : 1W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装 : TP