包装 : 管件

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 1500V（1.5kV）

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 2.5A（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 10.5 欧姆 @ 1.25A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : -

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 34nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 650pF @ 30V

功率-最大值 : 3W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-3PL

供应商器件封装 : TO-3P（L）