包装 : 带卷(TR) 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : 2 个 N 沟道(双)
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 20V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 3A
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 180pF @ 10V
功率-最大值 : 1.13W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装 : ChipFET™