包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : 2 个 N 通道（双），肖特基

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 10.3A，17.9A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 6.5 毫欧 @ 10A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 9.7nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1150pF @ 15V

功率-最大值 : 1.1W，1.2W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-PowerTDFN

供应商器件封装 : 8-DFN（5x6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）