包装 : 带卷（TR）

系列 : -

FET类型 : N 和 P 沟道

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V，20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 400mA，1.5A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 3.7 欧姆 @ 80mA，4V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : -

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 1.58nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 7pF @ 10V

功率-最大值 : 800mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装 : 6-CPH