包装 : *

系列 : -

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 295mA

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.6 欧姆 @ 500mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 0.9nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 26pF @ 20V

功率-最大值 : 250mW

安装类型 : *

封装/外壳 : *

供应商器件封装 : *