包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 2.2A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 85 毫欧 @ 2.9A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 7nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 140pF @ 15V

功率-最大值 : 640mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装 : ChipFET™