产品展示

视频展示

新品展示

ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的 600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”2021-04-20

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新开发出四款兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM*1（Intelligent Power Module）“BM6437x系列”，该系列产品可内置于空调、洗衣机等白色家电和小型工业设备（如工业用机器人用的小容量电机等）中，且非常适用于各种变频器的功率转换。

ST推出新款MasterGaN4器件，实现高达200瓦的高能效功率变换2021-04-16

意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术2021-04-09

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路，开发出针对150V耐压GaN HEMT*1（以下称“GaN器件”）的、高达8V的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2技术。

Vishay的新款第五代FRED Pt 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器具有极高的反向恢复性能2021-04-01

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出10款新型第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器。

新型车用650 V CoolSiC混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升2021-03-17

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出车用650 V CoolSiC™混合分立器件。该器件包含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。

意法半导体MasterGaN系列新增优化的非对称拓扑产品2021-01-18

基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。

意法半导体发布高温Snubberless 800V H系列可控硅 可节省空间，提高可靠性2021-01-15

意法半导体发布800V H系列可控硅，其在最大额定输出电流时最高结温达到150°C，因此可以将交流负载驱动器的散热器尺寸缩减多达50％，开发紧凑尺寸与高可靠性兼备的交流驱动器。

Nexperia首次推出用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET（配电阻晶体管）系列2021-01-12

半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配电阻晶体管）系列。

Teledyne e2v HiRel的650 V系列产品新增两款大功率GaN HEMT2021-01-08

Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管）。

Transphorm开始供应SuperGaN Gen V FET的样品2020-12-07

高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN)今日宣布供应其SuperGaNTM自主品牌旗下的首款Gen V器件的样品。