产品展示
联合碳化硅基于第四代先进技术推出新型SiC FET器件2020-12-01
领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合半导体）公司，现已基于其第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。
EPC推出170 V eGaN FET，实现优越同步整流，极具成本效益2020-11-13
宜普电源转换公司（EPC）宣布推出170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET），与目前用于高性能48 V同步整流的器件相比，EPC为设计工程师提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。
Gan Systems发布首款车用GaN，并推出AutoQual＋测试标准2020-11-10
GaN Systems日前宣布发布并推出其面向汽车市场的首款650V，60A 功率器件。GS-065-060-5-T-A的设计符合汽车可靠性标准，包括AEC-Q101认证和GaN Systems的AutoQual+™ 测试和认证。AutoQual+是一个增强的AEC-Q测试，基于该公司与汽车合作伙伴的合作，以证明其器件寿命超过市场要求。
Ampleon发布800W高效射频功率晶体管2020-11-04
Ampleon发布了BLU9H0408L-800P 800W射频功率晶体管。BLU9H0408L-800P采用了Ampleon最新的Gen9（50v）LDMOS工艺技术，专门设计用于在400MHz至800MHz 超高频频段(UHF)工作的高功率雷达系统。
为远程超高频雷达系统而设计的高效坚固的800W LDMOS射频功率晶体管2020-10-29
埃赋隆半导体（Ampleon）现已发布BLU9H0408L-800P 800W射频功率晶体管。它采用埃赋隆最新的第九代（Gen9）（50V）LDMOS工艺技术，专门为工作在400MHz至800MHz超高频（UHF）频段的大功率雷达系统而设计。
用于下一代电视广播发射机的新型RF功率晶体管和超宽带Doherty放大器2020-10-16
埃赋隆半导体（Ampleon）现已发布BLF989E射频功率晶体管，这一晶体管采用了最新的第九代高压（50V）LDMOS工艺技术。BLF989E是针对用于下一代UHF电视发射机所需的高效Doherty放大器而设计的。
EPC推出 100 V eGaN FET产品，性能更高成本更低2020-09-24
新一代100 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、汽车信息娱乐及激光雷达系统的理想功率器件。
e络盟供货安世半导体功率氮化镓场效应晶体管2020-09-18
全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该创新系列GaN FET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，能够以较低的成本开发出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。随着越来越多的立法提高碳排放减排要求，实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案。
EPC推出两款新一代200 V 氮化镓场效应晶体管2020-08-24
新一代200 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。
扬杰科技推出为优化整流器性能而设计的FRED超快恢复产品2020-08-18
FRED产品是一种为优化整流器性能而设计的超快恢复产品，拥有较低的正向压降和极低的恢复时间，现有的产品分布在200V~600V，5A~20A，具有多种封装类型。
