包装 : 带卷（TR）

系列 : OptiMOS™

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 55V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 20A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 65 毫欧 @ 15A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2V @ 14µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 12nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 410pF @ 25V

功率-最大值 : 43W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-PowerTDFN

供应商器件封装 : PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）