包装 : 剪切带（CT） 可替代的包装

系列 : MDmesh™ V

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 650V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 3.8A（Ta），22.5A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 86 毫欧 @ 14.5A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 82nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 3470pF @ 100V

功率-最大值 : 2.8W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-PowerVDFN

供应商器件封装 : PowerFLAT™（8x8）