运算放大器的供电存在两种形式，单电源供电以及双电源供电。在运放电源的设计中普遍采用双电源供电的方式，例如仪表运算放大器INA129的供电电压范围根据芯片手册可以得知为±2.25-±18V，同时其可以采取4.5-36V的单电源的供电方案。在真实的设计案例时，往往得到负电源是较为困难的，因此采用单电源供电的方式可以一定程度的减轻设计难度。
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高级驾驶辅助系统 (ADAS) 技术正在从高档车向中档甚至低端车型演进，越来越大的市场空间也意味着技术要快速演进，这其中除了核心SoC之外，也包括车载摄像头系统、雷达、激光雷达和融合多种传感器器的系统，在这其中，摄像头依然是最主流的传感器技术。
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本文介绍了一种双极性、双端子电源设计。这里讨论的方法基于降压转换器拓扑结构，它是现代电源电子的主力技术，因此能以各种形式提供，从带外部器件的简单控制器到完整模块应有尽有。采用降压拓扑结构可以赋予设计人员灵活性，并且可以选择使用预认证器件，从而节省时间和成本。
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高速CMOS图像传感器能将人眼无法分辨的高速过程记录下来，是观察和研究高速运动物体或瞬变现象变化过程及规律的最有效工具之一。常规的CMOS图像传感芯片实时性低、体积大、功耗高，高速低功耗CMOS图像传感芯片具备成像速度快、集成度高和功耗低的优势，可广泛应用于工业自动化、体育运动、科学观测以及航空航天等领域。
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从明确电网体制的改革方向，到大力发展以风能、光伏为代表的清洁可再生能源电力系统，我国电力行业正朝着构建清洁低碳、安全高效的能源体系发展。中央财经委员会第九次会议提出的“要构建清洁低碳安全高效的能源体系，控制化石能源总量，着力提高利用效能，实施可再生能源替代行动，深化电力体制改革，构建以新能源为主体的新型电力系统”等目标，也进一步为行业转型指明方向。
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UnitedSiC 利用业界最佳的导通电阻 x 面积 （RDS（on） x A），在一系列功率水平和封装选项中扩展了其第4代FET 产品组合, 提供一流的品质因数（FoM）。750V 碳化硅 FET 采用 TO-247-3L和 TO-247-4L 插入式封装, 导通电阻范围为 6mOhm 至 60mOhm, 采用低电感, 表面贴装 D2PAK-7L 封装, 可提供6.7mm 的高压爬电距离。SiC FET采用先进的晶圆减薄和银烧结芯片贴装技术, 提供卓越的热性能。
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近年来，TWS（真无线立体声）技术在蓝牙耳机领域得到了广泛的应用，两者相结合的TWS蓝牙耳机也凭借着小巧的外观、出色的音质一举成为最受消费者青睐的电子时尚单品。与此同时，由于TWS耳机需要依靠小型集成电池工作，因此大多数用户需随身携带匹配的底座/充电盒，以便随时随地为其充电。
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随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型，电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力，这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率越高，因为它会影响系统热性能，进而影响系统重量、尺寸和成本。随着开发的逆变器功率级别更高，每辆汽车的电机数量增加，以及卡车朝着纯电动的方向发展，人们将持续要求降低系统功率损耗。
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在安全性和便捷性之间的平衡和取舍是所有访问控制的关键，包括家庭、企业和数据。20年前，物理钥匙被低频射频识别（RFID）或简单的密码取代，门禁系统技术取得了重大进展。同样，10年前，电子门禁技术与NFC、2.4 GHz无线（如低功耗蓝牙）和指纹生物识别技术结合，实现了技术升级。
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