对于自动驾驶，还有很多其他的叫法，比如无人驾驶、电脑驾驶汽车或者轮式机器人等等。这些名称的核心要义是通过计算机与人工智能技术的融合，代替人类驾驶员，让车子自行完成完整、安全、有效的驾驶行为。无疑，这种智能化的驾乘体验将会成为新时代汽车一个重要的卖点，吸引全球科技巨头和车企纷纷投资布局。
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简单来说，电荷控制器件可以定义为包含一系列链接或耦合的电荷存储元件（电容仓）的集成电路，其设计方式是在外部电路的控制下，存储在每个电容器中的电荷可以移动到相邻的电容器。金属氧化物半导体电容器（MOS电容器）通常用于CCD，通过向MOS结构的顶板施加外部电压，可以将电荷（电子（e-）或空穴（h+））存储在生成的潜在的。
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智能手机、平板电脑和其他便携式设备使用的快速增长推动了对手持便携式电源的需求。根据市场研究，预计到 2022 年，移动电源市场规模将超过 250 亿美元。基于 USB 的设计是移动电源设计中最受欢迎的。
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在放大器电路设计中，你一定被一些最常见的问题给“坑”过，例如——没能用正确的方法对单电源运算放大器电路进行去耦。今天我们就讨论下这个问题，并给出单电源放大器电路的正确去耦方法。
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当前，消费级、医疗、工业等智能监测设备迎来爆炸性增长。随着这些设备越来越智能，逐步承担起环境和人的主动监测功能，并实时提供预测性响应，包括告警、执行或推荐操作等等。不过，智能响应的优劣，很大程度上依赖于内置传感器所收集数据的精度和广度。由此，传感器的更新迭代变得尤为关键。
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电源开发通常是一个艰难的过程。无论是用于交流电设备还是便携式设备，用户都期望电源达到很高的效率，同时尽可能保持小巧紧凑。成本也是一个重要因素，另外电源还必须是安全可靠的，这一点不言自明。
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氮化镓 (GaN) 技术是一项相对较新的半导体技术，正在彻底改变当今世界。GaN 的优势源于其独特的材料属性 ：宽带隙、高击穿电压、高热导率、高电子迁移率和高饱和电子速度。
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本文将先介绍电动汽车牵引逆变器的作用；然后解释用SiC功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 设计该装置时，如何才能打造出比使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 更高效的电动车驱动系统；文章最后介绍了一个基于SiC MOSFET的牵引逆变器实例，并说明了最大限度地提高该装置效率的设计技巧。
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所述LTM4675是双9A或单18A降压微型模块（微型组件）的DC / DC调节器设有的电力系统管理（PSM）参数上的PMBus-一个开放标准的远程可配置性和遥测监测余2的基于C的数字接口协议。其6mm x 11.9mm x 3.51mm BGA封装包含模拟控制回路，精密混合信号电路，EEPROM，功率MOSFET，电感器和支持组件。
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