SST的串行闪存系列采用四线,SPI兼容接口,允许低引脚数包占用更少的电路板空间,并最终降低总系统成本。 SST25VF512 SPI串行闪存采用SST专有的,高性能CMOS超快闪制造技术。该分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性与其他方法相比。该SST25VF512设备显著提高性能,同时降低功耗。该消耗的总能量是所施加的电压,电流,和应用的时间的函数。因此任何给定的电压范围,SuperFlash技术的编程电流更低,并且具有更短擦除时间,任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。该SST25VF512器件采用单2.7-3.6V电源。该SST25VF512器件采用8引脚SOIC和8触点WSON封装。参见图1对于引脚分配。
•单2.7-3.6V读取和写入操作
•串行接口架构
- SPI兼容:模式0和模式3
•20 MHz的最大时钟频率
•卓越的可靠性
- 耐力:100,000周期(典型值)
- 大于100年的数据保留
•低功耗:
- 有效的读电流:8 mA(典型值)
- 待机电流:8μA(典型值)
•灵活的擦除功能
- 均一4 K字节扇区
- 均一32 K字节覆盖块
•快速擦除和字节编程:
- 芯片擦除时间:70毫秒(典型值)
- 部门或块擦除时间:18 ms(典型值)
- 字节编程时间:14μs(典型值)
•自动地址递增(AAI)编程
- 减少总芯片编程时间字节编程
操作
•检测写操作结束的
- 软件状态
•保持引脚(HOLD#)
- 暂停串行序列的记忆
不取消选择器件
•写保护(WP#)
- 启用/禁用状态的锁定功能
寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的状态写保护
寄存器
•封装
- 8引脚SOIC(4.9毫米×6)
- 8触点WSON
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准