SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 和SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造的128K x8、256K x8 和5124K x8 CMOS 多用途闪存(Multi-Purpose Flash,MPF)器件。与其他方法相比,分离栅极单元设计(splitgate cell design)和厚氧化层隧穿注入器(thick-oxide tunneling injector)可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件使用3.0-3.6V 电源进行写操作(编程或擦除)。SST39VF010/020/040 器件使用2.7-3.6V 电源进行写操作。这些器件遵从x8 存储器的JEDEC 标准引脚排列。
• 按128K x8/256K x8/512K x8 的形式组织
• 单电压读写操作
– SST39LF010/020/040 为3.0-3.6V
– SST39VF010/020/040 为2.7-3.6V
• 超高可靠性
– 可擦写次数:100,000 次(典型值)
– 数据保存时间大于100 年
• 低功耗
(14 MHz 时的典型值)
– 工作电流:5 mA (典型值)
– 待机电流:1 μA (典型值)
• 扇区擦除功能
– 均一4 KB 扇区
• 快速读取访问时间:
– SST39LF010/020/040 为45 ns
– SST39LF020/040 为55 ns
– SST39VF010/020/040 为70 ns
• 锁存地址和数据
• 快速擦除和字节编程:
– 扇区擦除时间:18 ms (典型值)
– 全片擦除时间:70 ms (典型值)
– 字节编程时间:14 μs (典型值)
– 全片重写时间:
SST39LF/VF010 为2 秒(典型值)
SST39LF/VF020 为4 秒(典型值)
SST39LF/VF040 为8 秒(典型值)
• 自动写时序
– 内部VPP 生成
• 写操作结束检测
– 翻转位
– 数据# 查询
• CMOS I/O 兼容性
• JEDEC标准
– 闪存EEPROM 引脚排列和命令集
• 可用封装
– 32 引脚PLCC
– 32 引脚TSOP (8 mm x 14 mm)
– 48 球TFBGA (6 mm x 8 mm)
– 34 球WFBGA (4 mm x 6 mm)(适用于1M 和2M)
• 所有器件均符合RoHS 标准