包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） : 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 80A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 3 毫欧 @ 40A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 62nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 3650pF @ 25V
功率-最大值 : 110W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装 : D-Pak
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