包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : TrenchMOS™
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 200V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 8.8A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 294 毫欧 @ 2.6A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 13.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 657pF @ 30V
功率-最大值 : 50W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 : 8-DFN3333（3.3x3.3）
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