包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : FemtoFET™
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） : 12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 2.1A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 180 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 1.4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 200pF @ 6V
功率-最大值 : 500mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 3-XFDFN
供应商器件封装 : 3-PICOSTAR
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
