包装 : 管件

系列 : -

FET类型 : SiCFET N 通道，碳化硅

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 650V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 29A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 156 毫欧 @ 10A，18V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 3.3mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 61nC @ 18V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1200pF @ 500V

功率-最大值 : 165W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-220-3

供应商器件封装 : TO-220AB