包装 : 剪切带（CT） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压（Vdss） : 50V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 200mA（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 25pF @ 10V

功率-最大值 : 200mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 : SST3