包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : TrenchFET®

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压（Vdss） : 8V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 1.34A（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 86 毫欧 @ 1.34A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 900mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 11.6nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 585pF @ 4V

功率-最大值 : 236mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : SOT-563，SOT-666

供应商器件封装 : SC-89-6