包装 : 管件

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 100V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 1A（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 540 毫欧 @ 600mA，5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 6.1nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 250pF @ 25V

功率-最大值 : 1.3W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : 4-DIP（0.300，7.62mm）

供应商器件封装 : 4-DIP，Hexdip，HVMDIP