随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN) 和饱和 (IDSAT) 漏极电流。
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显示了 IRS 电动机模拟器针对作为被测设备 (DUT) 的三相逆变器的基本设置：该概念基于直接让两个逆变器相互运行的想法 - 三相和 DC-Link 都直接耦合。
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本系列文章详细介绍了半导体后端工艺，涵盖了从不同类型的半导体封装、封装工艺及材料等各个方面。作为本系列的收篇之作，本文将介绍半导体的可靠性测试及标准。除了详细介绍如何评估和制定相关标准以外，还将介绍针对半导体封装预期寿命、半导体封装在不同外部环境中的可靠性，及机械可靠性等评估方法。
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可以通过将空气介质传输线贴在非金属水箱外壁来检测RF阻抗，以准确测量其液位。本文提供一个经验设计示例，显示反 射计器件（例如ADI公司的ADL5920）如何帮助简化设计。
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电化学产品日趋微型化。仪器仪表从机架安装式或台式机缩小为手持式设备，以进行目标点或环境分析。下一代仪器仪表开始将恒电势器集成到更小的设备（例如可穿戴设备、医疗设备或气体监测仪）中。ADI公司与PalmSens BV合作研发的EmStat Pico就是一款微型(30.5 mm × 18 mm × 2.6 mm)恒电势器系统化模块(SOM)，它延续了这一尺寸缩小的趋势。该器件采用ADI技术构建，包括ADuCM355、ADP166、ADT7420和AD8606。
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