英飞凌科技股份公司近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅（Si）和氮化镓（GaN）器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。
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人工智能工作负载正在重新定义现代数据中心的电力需求。GPU功率水平的飙升以及更密集的机架配置，正将服务器电力基础设施推向极限。为了应对这些挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了两款面向服务器ODM和OEM厂商的系统级解决方案：一款是针对50 V机架架构进行优化的18 kW三相电源模块（PSU）参考设计；另一款是专为800 VDC或±400 VDC电源侧柜（power sidecar）的机架架构设计的30 kW三相交错式T型PFC评估板。
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英飞凌科技股份公司宣布推出一款 24 kW 电池备份单元（BBU）DC-DC 参考设计。其专为AI数据中心的高压直流母线架构而设计，是业内首款可直接在电池组与 800 V 直流母线之间运行的解决方案，采用了 650 V 和 1200 V 碳化硅（SiC）技术，在保持与现有低压BBU 相同物理外形尺寸的前提下，实现了 450 W/in³ 的功率密度以及超过 99% 的效率，有效解决了数据中心向更高电压直流配电转型过程中的关键基础设施瓶颈。
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意法半导体新氮化镓（GaN）功率晶体管赋能高需求电气化应用提升能效和功率密度。新推出的700V PowerGaN氮化镓功率器件属于STPOWER产品组合，能够解决人工智能服务器耗电量不断攀升的能效难题，还可以克服市场需要更高的电源转换性能而传统硅基器件已经达到技术极限的行业挑战。
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随着AI工作负载持续增长，数据中心架构设计正面临信号传输距离受限、时延攀升的双重制约，可能导致大型GPU集群中大量内存资源利用率偏低。随
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深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出两款全新超薄紧凑型辅助电源参考设计，专为800VDC AI数据中心打造。其中一款单路输出15W设计的尺寸仅为30mm×30mm，厚度为7mm；另一款隔离式、六路输出、35W设计的尺寸仅为80mm×60mm，厚度为8mm。
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海盗船美国当地时间 26 日宣布推出收藏级内存条系列 CORSAIR SHUGO DDR5。该系列专为那些将电脑视为高性能 PC 和个性化设计表达的 DIY 装机者打造，以限量形式发售。
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Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出新款3.3 kV HV‑D3 mSiC®功率模块，旨在简化并加速AI超大规模数据中心及其他高压电源应用采用固态变压器（SST）。该全新模块采用行业标准62 mm封装，集成 3.3 kV碳化硅（SiC）mSiC MOSFET与肖特基二极管，可实现从中压电网直接向服务器机架高效供电。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。
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业界领先的芯片和半导体IP供应商Rambus Inc.（纳斯达克代码：RMBS）今日正式推出集成时分复用（TDM）功能的PCIe® 7.0交换机IP作为旗下先进互连IP产品组合的最新成员，该产品旨在满足人工智能、云计算及高性能计算（HPC）系统对带宽、延迟和可扩展性日益增长的需求。
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