包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : HEXFET®

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 1.2A（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 250 毫欧 @ 930mA，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 700mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 3.9nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 110pF @ 15V

功率-最大值 : 540mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 : Micro3™/SOT-23