包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : HEXFET®

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 25V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 12A（Ta），37A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 5.9 毫欧 @ 12A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.4V @ 25µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 13nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1190pF @ 13V

功率-最大值 : 1.8W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : DirectFET™ 等容 S1

供应商器件封装 : DIRECTFET S1