包装 : 管件

系列 : HEXFET®

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 160A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.95 毫欧 @ 148A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.35V @ 150µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 83nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 8020pF @ 25V

功率-最大值 : 195W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装 : D2PAK