包装 : 管件
系列 : StrongIRFET™
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压(Vdss) : 75V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 240A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 2 毫欧 @ 100A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 3.7V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 428nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 13970pF @ 25V
功率-最大值 : 375W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商器件封装 : D2PAK(7-Lead)