包装 : 带卷（TR）

系列 : HEXFET®

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 75V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 14A（Ta），75A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 8.5 毫欧 @ 45A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 100µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 77nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 3001pF @ 25V

功率-最大值 : 4.4W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-PowerTDFN

供应商器件封装 : PQFN（5x6）