包装 : 管件

系列 : HEXFET®

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 40V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 240A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.3 毫欧 @ 100A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.9V @ 150µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 225nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 7437pF @ 25V

功率-最大值 : 231W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）

供应商器件封装 : D2PAK-7