包装 : 管件 可替代的包装

系列 : HEXFET®

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 100V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 8.3A（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 18 毫欧 @ 8.3A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4.9V @ 100µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 39nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1640pF @ 25V

功率-最大值 : 2.5W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装 : 8-SO