包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : HEXFET®，StrongIRFET™

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 195A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 2.4 毫欧 @ 100A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.7V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 279nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 10034pF @ 25V

功率-最大值 : 294W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装 : D2PAK