包装 : 散装 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 120V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 230mA（Tj）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 6 欧姆 @ 500mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 125pF @ 25V
功率-最大值 : 1W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装 : TO-92-3
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
