包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : NexFET™
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 3.5A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 10.2m옴 @ 1.5A, 4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1.3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 11.2nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1370pF @ 6V
功率-最大值 : 1.9W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装 : 6-DSBGA（1x1.5）
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
