包装 : 剪切带（CT） 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） : 25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 48A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 10.5 毫欧 @ 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1.7V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 10nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 580pF @ 12.5V
功率-最大值 : 1.8W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-PowerTDFN
供应商器件封装 : 8-PDFN（3x3）
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
