包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） : 12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 500mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 366 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 0.96nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 60pF @ 10V
功率-最大值 : 360mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 3-XFDFN
供应商器件封装 : X2-DFN0806-3
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