包装 : 散装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） : 100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 1.2A（Tj）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 350 毫欧 @ 4A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.4V @ 10mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 500pF @ 25V
功率-最大值 : 740mW
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装 : TO-92-3
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