包装 : 带卷(TR) 可替代的包装
系列 : TrenchFET®
FET类型 : 2 个 N 沟道(双)
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 100V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 36.7A
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 17 毫欧 @ 15A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 3.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 27nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 1170pF @ 50V
功率-最大值 : 46W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装 : PowerPAK® SO-8 Dual