包装 : *可替代的包装

系列 : -

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 260mA

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 2.8 欧姆 @ 200mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 1nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 23.6pF @ 10V

功率-最大值 : 285mW

安装类型 : *

封装/外壳 : *

供应商器件封装 : *