包装 : 带卷（TR）

系列 : HEXFET®

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 40V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 43A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 10 毫欧 @ 26A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.9V @ 25µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 33nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1060pF @ 25V

功率-最大值 : 34W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-PowerTDFN

供应商器件封装 : PQFN（5x6）