包装 : 管件

系列 : GigaMOS™，HiPerFET™，TrenchT2™

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 150V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 53A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 20 毫欧 @ 55A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 150nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 8600pF @ 25V

功率-最大值 : 180W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : i4-Pac™-5

供应商器件封装 : ISOPLUS i4-PAC™