双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同时，这项测试发生在器件研发、器件生产、系统应用等各个环节，测试结果有力地保证了器件的特性和质量、功率变换器的指标和安全，可以说是伴随了功率器件生命的关键时刻。
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随着系统功耗降低，保持高精度可能成为一项挑战，必须确保系统精度保持在较高水平；提高精度的一种方法是使用外部电压基准。外部电压基准通常是实用的，因为有多项技术（例如模数转换器的过采样技术）对基准电压的要求远高于典型内部电压基准所能达到的水平，包括提高初始精度、降低温度系数、降低噪声，甚至是不同的电压基准电平。
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为了满足下一代汽车电子控制系统单元的成本，PCB空间对高性能、高可靠性和高稳定性的要求有限。本文设计了一个16位的飞思卡尔MCU MC9S12XF512作为汽车电控系统单元的主控芯片。它以FlexRay总线技术为基础，针对车身布局和车身控制要求。本文详细介绍了汽车电控系统结构单元的设计，包括控制模块的主控芯片、FlexRay总线通信模块及其外围电路的硬件设计和软件设计过程。
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目前主流的锂离子电池自放电测量方法是在一定的环境条件下，对电池进行较长时间的静置，测量静置前后电池参数的变化，来表征锂离子电池的自放电程度。根据测量参数的不同，静置测量主要分为3大类：容量测量、开路电压测量和电流测量。
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随着 GaN 功率放大器向小型化、大功率发展，其热耗不断增加，散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达 2000 Ｗ/(m•K)，是一种极具竞争力的新型散热材料，可用作大功率器件的封装载片。
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忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。
>>详情节点的定位是无线传感网应用中的一个重要问题，位置信息的引入使得WSN的输出从单一的{数据}变为{数据，位置}形式，使得使用者可以更有效的获取特定位置和区域而不是特定传感器结点的数据，从而为许多新型应用如基于位置的路由、跟踪、建筑物形变测量等应用打开了途径。
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在要求低漏电流的应用中，请务必选择低输入偏置电流(IB)的运算放大器。尽管“应用笔记AN-1373”中曾介绍了如何使用ADA4530-1评估板测量超低偏置电流。然而，由于飞安(fA)级电流的实际处理性质，测量环境（夹具、屏蔽、电缆、连接器等设备）也会影响测量结果。
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一般我们用的电源系统/控制系统或者信号处理系统都可以简单理解成负反馈控制系统。最典型的，运放组成的信号放大电路就是这样的系统。本文以最简单的运放信号放大电路为例，演示如何使用LOTO示波器测量控制系统的开环增益频响曲线，以及演示电源的环路响应稳定性测试。
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