MOSFET是用栅电压控制源漏电流的器件,在某一固定漏源电压下,可测得一条IDs~VGs关系曲线,对应一组阶梯漏源电压可测得一簇直流输入特性曲线。 MOSFET在某一固定的栅源电压下所得IDS~VDS 关系即为直流输出特性，对应一组阶梯栅源电压可测得一簇输出特性曲线。
>>详情
在 PCT 期间，当 DUT 开启时，由于电流从漏极流向源极，DUT 温度会升高（图 1a）。当 DUT 关闭时，通过从源极到漏极的感测电流测量体二极管压降。通过应用图 1b 中所示的 V SD -T 校准曲线，可以在知道体二极管压降的情况下估算结温 T J 。
>>详情
技术改良一直走在行业进步的前沿，但世纪之交以来，随着科技进步明显迅猛发展，消费者经常会对工程师面临的挑战想当然，因为他们觉得工程师本身就是推动世界进步的中坚力量。
>>详情
对功率器件动态参数进行测试是器件研发工程师、电源工程师工作中的重要一环，测试结果用于验证、评价、对比功率器件的动态特性。如何能够高效地完成测试是工程师一直关注的，也是在选择功率器件动态参数测试系统时需要着重关注的，一个高效的测试系统能够帮助工程师快速完成测试、获得测试结果、提升工作效率、节约时间和精力。
>>详情
霍尔效应是一种电磁感应现象，当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，如下图所示。霍尔效应测试中我们一般测试霍尔电压VH、电阻率ρ、霍尔系数RH、载流子浓度n、霍尔迁移率μH等参数。
>>详情
目前，MORLAB已经正式对外开展了TD产品的相关测试服务项目，通过近期研究相关标准（YD/T1367-2006 2GHz TD-SCDMA数字蜂窝移动通信网终端设备技术要求）并开展部分测试实验，我们将分期归纳TD终端产品的各个测试项目的具体内容。现谈一谈TD终端产品发射机特性测试——UE发射功率的内容。
>>详情
对于汽车试验台和硬件在环 (HIL) 子系统等测试和计量解决方案的设计人员来说，他们面临着日益严峻的挑战，必须在高性能、低延迟和宽带宽之间找到最佳平衡。同时，他们需要灵活性和可重新配置性来支持快速变化的系统要求，并为广泛的用例提供服务。
>>详情企业服务器和交换机、存储连接网络和基站越来越多地使用带有 PMBus 的电源来轻松配置、控制和监控关键电压轨，例如大电流 ASIC、DSP、FPGA 和 DDR 内存内核，而无需软件编程。
>>详情
该电路使用ADL5902TruPwr检波器测量RF信号的均方根信号强度，信号波峰因素(峰值均值比)在约65dB的动态范围内变化，工作频率为50MHz至9GHz。
>>详情
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
