随着 GaN 功率放大器向小型化、大功率发展，其热耗不断增加，散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达 2000 Ｗ/(m•K)，是一种极具竞争力的新型散热材料，可用作大功率器件的封装载片。
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忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。
>>详情节点的定位是无线传感网应用中的一个重要问题，位置信息的引入使得WSN的输出从单一的{数据}变为{数据，位置}形式，使得使用者可以更有效的获取特定位置和区域而不是特定传感器结点的数据，从而为许多新型应用如基于位置的路由、跟踪、建筑物形变测量等应用打开了途径。
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在要求低漏电流的应用中，请务必选择低输入偏置电流(IB)的运算放大器。尽管“应用笔记AN-1373”中曾介绍了如何使用ADA4530-1评估板测量超低偏置电流。然而，由于飞安(fA)级电流的实际处理性质，测量环境（夹具、屏蔽、电缆、连接器等设备）也会影响测量结果。
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一般我们用的电源系统/控制系统或者信号处理系统都可以简单理解成负反馈控制系统。最典型的，运放组成的信号放大电路就是这样的系统。本文以最简单的运放信号放大电路为例，演示如何使用LOTO示波器测量控制系统的开环增益频响曲线，以及演示电源的环路响应稳定性测试。
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自动驾驶领域的传感器有GMSL相机、毫米波雷达、激光雷达、超声波等，采集时也涉及到环境、音频、V2X地图等方面的传感器。越来越丰富的传感器，带来的是更多挑战。
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输入/输出缓冲器信息规范(IBIS)是一种行为模型，作为生成器件模型的标准格式而在全球受到欢迎。器件模型的精度取决于行业提供的IBIS模型的质量。因此，为信号完整性仿真提供高质量、可靠的IBIS模型是对客户的坚定承诺。
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有源探头为了保持探头的精确度，需要工作在恒温状态，所以探头放大器不能放置到高低温箱里进行高低温环境下被测电路板的测试。从探头附件结构中可见中间的50ohm传输线的长短不影响探测，所以可以用很长的同轴电缆或扩展同轴电缆，让这个同轴电缆伸进高低温箱里进行高低温换进下被测电路板的测试。
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本文提供关于在自动测试设备(ATE)系统中选择器件电源(DPS)IC的指南。这些考虑因素将帮助客户根据其特定的ATE系统来选择DPS IC。文中还介绍了能够满足ATE系统的输出电流和散热要求的系统级架构。
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SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
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