从测试的角度来看宽禁带技术带来的诸多挑战，例如如何筛选不同厂家的器件及必要性，如何解决目前宽禁带器件应用测试和驱动测试的难题，如何能充分发挥器件的性能等。泰克针对性的测试解决方案覆盖了从半导体材料、生产、可靠性到电源设计应用的全流程，帮助用好宽禁带技术，推动技术进步。
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3D视觉技术正在成为主流--这是件好事。技术的进步和成本的降低使得3D视觉成为一种可以用于半导体和电子、电动车电池制造、汽车制造、食品生产和药品包装等多种应用和行业的技术。人们会在生产制造自动化、机器人引导和质量控制领域中看到3D传感器和轮廓仪。
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电气工程中的一个典型应用是通过传感器记录物理量并转发给微控制器进行深入处理。此过程需要使用ADC将模拟传感器输出信号转换为数字信号。ADI在本文介绍了一种用于高精度测量应用的低功耗模数转换器(ADC)解决方案，即SAR-ADC或Σ-Δ ADC。因为在低功耗应用中，节省的每一毫瓦都将是有用的。
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电子工程师和技术人员习惯将噪声视为负面因素，因而在元器件选择、电路设计和电路板布局过程中会进行优化以实现低噪声。事实上，随机或伪随机噪声有时候很有用。本文将进一步说明为什么要利用噪声以及如何利用。
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要测试精密仪器仪表，需要使用超低失真、低噪声、高性能的信号发生器。新的产品通常需要保证性能指标在较高的水平。有些参考设计（例如ADMX1002）利用高性能精密数模转换器(DAC)简化了这一任务，这些转换器具有出色的精度和分辨率水平。1此外，加入一种创新数字预失真算法可以进一步增强测试信号的保真度，从而以低成本的小尺寸实现出色的低失真信号。
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误差矢量幅度(EVM)是广为使用的系统级性能指标，许多通信标准将其定义为用于无线局域网(WLAN 802.11)、移动通信(4G LTE、5G)等应用的合规性测试。除此之外，它还是一个极为有用的系统级指标，可通过简单易懂的值来量化系统中所有潜在损害的综合影响。
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伴随着国内运营商的重组，CDMA 1X技术重新受到国内业界的关注，本文主要介绍了CDMA 1X基站射频性能对CDMA 1X网络质量的影响以及CDMA 1X基站射频测试中的关键问题，为CDMA 1X基站的研发和测试提供一些指导。
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第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是近几年新兴的功率半导体，相比于传统的硅（Si）基功率半导体，氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度，更高的临界场强，使得基于这两种材料制作的功率半导体具有耐压高、导通电阻低、寄生参数小等优异特性，应用于开关电源领域时，具有损耗小、工作频率高、可靠性高等优点，可以大大提升开关电源的效率、功率密度和可靠性等。
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MOSFET是用栅电压控制源漏电流的器件,在某一固定漏源电压下,可测得一条IDs~VGs关系曲线,对应一组阶梯漏源电压可测得一簇直流输入特性曲线。 MOSFET在某一固定的栅源电压下所得IDS~VDS 关系即为直流输出特性，对应一组阶梯栅源电压可测得一簇输出特性曲线。
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在 PCT 期间，当 DUT 开启时，由于电流从漏极流向源极，DUT 温度会升高（图 1a）。当 DUT 关闭时，通过从源极到漏极的感测电流测量体二极管压降。通过应用图 1b 中所示的 V SD -T 校准曲线，可以在知道体二极管压降的情况下估算结温 T J 。
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