电子工程师和技术人员习惯将噪声视为负面因素，因而在元器件选择、电路设计和电路板布局过程中会进行优化以实现低噪声。事实上，随机或伪随机噪声有时候很有用。本文将进一步说明为什么要利用噪声以及如何利用。
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要测试精密仪器仪表，需要使用超低失真、低噪声、高性能的信号发生器。新的产品通常需要保证性能指标在较高的水平。有些参考设计（例如ADMX1002）利用高性能精密数模转换器(DAC)简化了这一任务，这些转换器具有出色的精度和分辨率水平。1此外，加入一种创新数字预失真算法可以进一步增强测试信号的保真度，从而以低成本的小尺寸实现出色的低失真信号。
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误差矢量幅度(EVM)是广为使用的系统级性能指标，许多通信标准将其定义为用于无线局域网(WLAN 802.11)、移动通信(4G LTE、5G)等应用的合规性测试。除此之外，它还是一个极为有用的系统级指标，可通过简单易懂的值来量化系统中所有潜在损害的综合影响。
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伴随着国内运营商的重组，CDMA 1X技术重新受到国内业界的关注，本文主要介绍了CDMA 1X基站射频性能对CDMA 1X网络质量的影响以及CDMA 1X基站射频测试中的关键问题，为CDMA 1X基站的研发和测试提供一些指导。
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第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是近几年新兴的功率半导体，相比于传统的硅（Si）基功率半导体，氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度，更高的临界场强，使得基于这两种材料制作的功率半导体具有耐压高、导通电阻低、寄生参数小等优异特性，应用于开关电源领域时，具有损耗小、工作频率高、可靠性高等优点，可以大大提升开关电源的效率、功率密度和可靠性等。
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MOSFET是用栅电压控制源漏电流的器件,在某一固定漏源电压下,可测得一条IDs~VGs关系曲线,对应一组阶梯漏源电压可测得一簇直流输入特性曲线。 MOSFET在某一固定的栅源电压下所得IDS~VDS 关系即为直流输出特性，对应一组阶梯栅源电压可测得一簇输出特性曲线。
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在 PCT 期间，当 DUT 开启时，由于电流从漏极流向源极，DUT 温度会升高（图 1a）。当 DUT 关闭时，通过从源极到漏极的感测电流测量体二极管压降。通过应用图 1b 中所示的 V SD -T 校准曲线，可以在知道体二极管压降的情况下估算结温 T J 。
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技术改良一直走在行业进步的前沿，但世纪之交以来，随着科技进步明显迅猛发展，消费者经常会对工程师面临的挑战想当然，因为他们觉得工程师本身就是推动世界进步的中坚力量。
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对功率器件动态参数进行测试是器件研发工程师、电源工程师工作中的重要一环，测试结果用于验证、评价、对比功率器件的动态特性。如何能够高效地完成测试是工程师一直关注的，也是在选择功率器件动态参数测试系统时需要着重关注的，一个高效的测试系统能够帮助工程师快速完成测试、获得测试结果、提升工作效率、节约时间和精力。
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霍尔效应是一种电磁感应现象，当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，如下图所示。霍尔效应测试中我们一般测试霍尔电压VH、电阻率ρ、霍尔系数RH、载流子浓度n、霍尔迁移率μH等参数。
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